Легирование полупроводников

Если вам показалось, что представленная здесь информация была полезной, пожалуйста, рассмотрите возможность пожертвования UCI, упомянув этот канал: https://give.uci.edu/ В этом видео я описываю, как изменить концентрацию электронов или дырок: путем легирования атомами, отличными от кремния. Это позволяет поддерживать нейтральность заряда и изменять относительное количество дырок и электронов с помощью простого химического закона скорости. Это часть моей серии по физике полупроводников (часто называемой «Электроника 1» в университете). В основе лежит книга «Физика и приборы полупроводников» Дональда Нимена, а также курсы EECS 170A/174, преподаваемые в Калифорнийском университете в Ирвайне. Надеюсь, это видео было вам полезно. Пожалуйста, оставляйте комментарии ниже, если я могу что-то улучшить в будущих видео, или ваши предложения по их улучшению.