Почему минимальный RDS(on) — не всегда лучший MOSFET.

Чем меньше RDS(on), тем лучше? Не всегда. При выборе MOSFET многие смотрят только на сопротивление открытого канала, но игнорируют динамические потери и заряд затвора. В этом видео разбираем, почему MOSFET с минимальным RDS(on) может давать худшую эффективность, и как правильно оценивать транзистор под конкретный режим работы. Спикер — Анатолий Юрьевич Бортников, разработчик электроники со стажем более 15 лет, кандидат физико-математических наук, автор курсов по электронике и программированию, преподаватель и руководитель Академии программирования электронных устройств. Полное видео на эту тему — https://home.strannik-j.org/video/c63ab487675c289d2f929f9a8a014d90/ О чём видео: Видео посвящено выбору MOSFET в реальных схемах. Показано, как связаны сопротивление канала, заряд затвора и динамические потери, а также почему минимальный RDS(on) не гарантирует минимальный нагрев. #схемотехника #электроника #MOSFET #RDSon #силоваяэлектроника #powerelectronics #switchinglosses #gatecharge #hardwaredesign #PCBdesign #electronics #engineering #circuitdesign #embedded #hardwareengineering #разработкаэлектроники #электронныеустройства #transistor #mosfetdriver #powerdesign #electronicsengineering #highspeed #analogdesign #designerrors #efficiency