Сотрудники Университета Фудань объявили о создании самой быстрой флеш-памяти под названием Рассвет.

Сотрудники Университета Фудань объявили о создании самой быстрой флеш-памяти в мире под названием «Рассвет». Скорость записи и чтения данных достигает 400 пикосекунд, что в 100 тысяч раз быстрее SRAM. Китайские ученые предложили использовать при создании транзисторных каналов графен или диселенид вольфрама, дабы обойти ограничения обычных полупроводников. Емкость прототипа пока составляет всего 1 килобайт данных, поэтому сейчас специалисты намерены заняться наращиванием объема памяти.