Как поднять throughput EUV на 15–20%: новый режим PEB/PEO от Imec
Производительность EUV-сканеров обычно повышают «в лоб»: наращивают мощность источника или пытаются сделать фоторезист более чувствительным. Imec предложил неожиданную оптимизацию — изменить среду после экспонирования, чтобы «добрать» реакцию в резисте и сократить требуемую дозу EUV. Сейчас пластина после экспонирования уходит на post-exposure bake и сопутствующую обработку в условиях обычной атмосферы чистой комнаты — порядка 21% кислорода. В Imec построили герметичный бокс с контролем газов и массой датчиков, чтобы проводить эти шаги при разных смесях и отслеживать поведение материала на каждом этапе. Вывод оказался практичным: при увеличении концентрации кислорода до 50% чувствительность металл-оксидных фоторезистов (MOR) выросла на 15–20%. Это позволяет получать целевые размеры структур при меньшей экспозиционной дозе. На языке фабрики это означает рост пропускной способности линии: либо быстрее проход экспонирования, либо тот же результат при меньшей энергетике — без деградации детализации и качества линий. MOR-резисты сегодня рассматриваются как важное направление для EUV, включая системы с высокой числовой апертурой. Да, для внедрения «кислородного режима» потребуется отдельная инфраструктура и новые условия обработки пластин, что добавит расходов. Но с точки зрения экономики EUV даже такой процентный прирост может оказаться решающим, особенно на передовых узлах. Источники: Bits&Chips, Tom’s Hardware.
Производительность EUV-сканеров обычно повышают «в лоб»: наращивают мощность источника или пытаются сделать фоторезист более чувствительным. Imec предложил неожиданную оптимизацию — изменить среду после экспонирования, чтобы «добрать» реакцию в резисте и сократить требуемую дозу EUV. Сейчас пластина после экспонирования уходит на post-exposure bake и сопутствующую обработку в условиях обычной атмосферы чистой комнаты — порядка 21% кислорода. В Imec построили герметичный бокс с контролем газов и массой датчиков, чтобы проводить эти шаги при разных смесях и отслеживать поведение материала на каждом этапе. Вывод оказался практичным: при увеличении концентрации кислорода до 50% чувствительность металл-оксидных фоторезистов (MOR) выросла на 15–20%. Это позволяет получать целевые размеры структур при меньшей экспозиционной дозе. На языке фабрики это означает рост пропускной способности линии: либо быстрее проход экспонирования, либо тот же результат при меньшей энергетике — без деградации детализации и качества линий. MOR-резисты сегодня рассматриваются как важное направление для EUV, включая системы с высокой числовой апертурой. Да, для внедрения «кислородного режима» потребуется отдельная инфраструктура и новые условия обработки пластин, что добавит расходов. Но с точки зрения экономики EUV даже такой процентный прирост может оказаться решающим, особенно на передовых узлах. Источники: Bits&Chips, Tom’s Hardware.